MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 710 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
710V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
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Series
MDmesh M5
Tipo de soporte
Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
78mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
82nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
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No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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