MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 7 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
7A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-263
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
630mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
No
Ancho
9.35 mm
Longitud
10.4mm
Altura
4.37mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
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$ 6.795.000
$ 6.795 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 8.086.050
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1000
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Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de Canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
15nC
Disipación de potencia máxima Pd
70W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
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Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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