MOSFET STMicroelectronics STB40NF20, VDSS 200 V, ID 40 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-160 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.737.000
$ 3.737 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 4.447.030
$ 4.447,03 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
45 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
160000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Largo
10.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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