MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 200 V, ID 40 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
40A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
200V
Serie
STripFET
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
160W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
75nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 3.737.000
$ 3.737 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 4.447.030
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Serie
STripFET
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
160W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
75nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
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