MOSFET STMicroelectronics STB38N65M5, VDSS 710 V, ID 30 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
710 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Altura
4.6mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
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D2PAK (TO-263)
Series
MDmesh M5
Tipo de Montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
95 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
190000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
71 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Altura
4.6mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M5, STMicroelectronics
El MOSFET de potencia MDmesh M5 está optimizado para alta potencia PFC y topologías PWM. Las características principales incluyen bajas pérdidas de encendido por área de silicio junto con una carga de compuerta baja. Están diseñados para aplicaciones de conmutación de alta eficiencia energética fiable y compacta, como convertidores de potencia solar, fuentes de alimentación para productos de consumo electrónico y controles de iluminación.
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