Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
28A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Serie
STB37N60
Tipo de Montaje
Orificio pasante
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
94mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Largo
15.85mm
Certificaciones y estándares
AEC-Q101
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y tiempo (trr) muy bajos combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
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Volver a intentar más tarde
$ 4.820.000
$ 4.820 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 5.735.800
$ 5.735,80 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
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STB37N60
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
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Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
210W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
54nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
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1.6V
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Largo
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AEC-Q101
Ancho
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AEC-Q101
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El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM2. Ofrece una carga de recuperación (Qrr) y tiempo (trr) muy bajos combinados con baja RDS(on), lo que lo convierte en adecuado para los convertidores de alta eficiencia más exigentes e ideal para topologías de puente y convertidores de desplazamiento de fase ZVS.
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