Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Serie
ST
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.115Ω
Modo de canal
Depletion
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
15.85mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.
Volver a intentar más tarde
$ 3.956.000
$ 3.956 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 4.707.640
$ 4.707,64 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 3.956.000
$ 3.956 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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$ 4.707,64 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
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1000
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Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
25A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Serie
ST
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
0.115Ω
Modo de canal
Depletion
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
35nC
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
10.4mm
Altura
15.85mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.