MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 100 V, ID 35 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
115W
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
10.4mm
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Volver a intentar más tarde
$ 1.005.000
$ 1.005 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.195.950
$ 1.195,95 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
1000
$ 1.005.000
$ 1.005 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.195.950
$ 1.195,95 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)
Volver a intentar más tarde
1000
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
35A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
45mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
115W
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
40nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Certificaciones y estándares
No
Longitud
10.4mm
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Idear. Crear. Colaborar
ÚNASE GRATIS
¡Sin cuotas escondidas!
- Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
- Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
- Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos