Transistor MOSFET STMicroelectronics STB30NF10, VDSS 100 V, ID 35 A, D2PAK de 3 pines

Brand

Tipo de canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

45 mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima

115000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 10 V

Número de elementos por chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.4mm

Anchura

9.35mm

Serie

STripFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

4.6mm