Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
10.4 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
190mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
46nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
10.4 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto


