MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 760-9499PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB24NM60N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

Type N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Series

MDmesh

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

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TO-263

Series

MDmesh

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

46nC

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.75mm

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No

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