MOSFET STMicroelectronics STB23NM50N, VDSS 500 V, ID 17 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 761-0663PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB23NM50N
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

500 V

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Series

MDmesh

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

125000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Largo

10.75mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Profundidad

10.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Altura

4.6mm

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

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Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

190 m.Ω

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Mejora

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4V

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2V

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125000 mW

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Single

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Largo

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