MOSFET, N-Canal STMicroelectronics STB18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

17A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

295mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

190W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

70nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30, +30V

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

4.6mm

Largo

10.75mm

Ancho

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No