Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Serie
MDmesh
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
295mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
17A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
800V
Serie
MDmesh
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
295mΩ
Modo de canal
Enhancement
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
70nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
30V
Tensión directa Vf
1.6V
Disipación de potencia máxima Pd
190W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Longitud
10.75mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
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