Transistor MOSFET STMicroelectronics STB18N60M6, ID 13 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
4.37mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
País de Origen
China
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$ 3.293
Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 3.918,67
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| 50 - 120 | $ 2.814 | $ 14.070 |
| 125 - 245 | $ 2.533 | $ 12.665 |
| 250+ | $ 2.408 | $ 12.040 |
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N
Maximum Continuous Drain Current
13 A
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.75V
Tensión de umbral de puerta mínima
3.25V
Disipación de Potencia Máxima
110000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±25 V
Longitud:
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16,8 nC a 10 V
Profundidad
9.35mm
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Altura
4.37mm
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