MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18N60M2, VDSS 650 V, ID 13 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
13A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh M2
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
280mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
21.5nC
Tensión directa Vf
1.6V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 14.095
$ 2.819 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 16.773
$ 3.354,61 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 2.819 | $ 14.095 |
| 25 - 45 | $ 2.678 | $ 13.390 |
| 50 - 120 | $ 2.407 | $ 12.035 |
| 125 - 245 | $ 2.170 | $ 10.850 |
| 250+ | $ 2.060 | $ 10.300 |
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Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
13A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
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Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
280mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
21.5nC
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Ancho
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Altura
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Largo
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No
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No
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