MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
9.35mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
10.4 mm
Altura
4.6mm
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.640.000
$ 1.640 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.951.600
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1000
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
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Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh DM2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Longitud
9.35mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
10.4 mm
Altura
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Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
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