MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Encapsulado

TO-263

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Longitud

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No