MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de Producto

MOSFET

Tipo de Canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

MDmesh DM2

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

290mΩ

Modo de canal

Enhancement

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

20nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-25, +25V

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

90W

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

4.6mm

Largo

9.35mm

Certificaciones y estándares

No

Ancho

10.4mm

Estándar de automoción

No

País de Origen

China