MOSFET STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 111-6459Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB18N60DM2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

12 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

290 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

90000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

9.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.6mm

Tensión de diodo directa

1.6V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics

Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.

Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 16.615

$ 3.323 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 19.772

$ 3.954,37 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)

MOSFET STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5$ 16.615
10$ 28.290
15$ 42.435
20$ 56.580
25$ 70.725
30$ 84.870
35$ 99.015
40$ 113.160
45$ 127.305
50$ 141.450
55$ 155.595
60$ 169.740
65$ 183.885
70$ 198.030
75$ 212.175

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5

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5$ 16.615
10$ 28.290
15$ 42.435
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25$ 70.725
30$ 84.870
35$ 99.015
40$ 113.160
45$ 127.305
50$ 141.450
55$ 155.595
60$ 169.740
65$ 183.885
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
5 - 5$ 3.323$ 16.615
10 - 95$ 2.829$ 14.145
100 - 495$ 2.218$ 11.090
500+$ 1.868$ 9.340

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N

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600 V

Series

MDmesh DM2

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

290 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

90000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Anchura

10.4mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Largo

9.35mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

4.6mm

Tensión de diodo directa

1.6V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

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