Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud
9.35mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Volver a intentar más tarde
$ 16.615
$ 3.323 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 19.772
$ 3.954,37 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
$ 16.615
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$ 19.772
$ 3.954,37 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
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Estándar
5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 3.323 | $ 16.615 |
| 10 - 95 | $ 2.829 | $ 14.145 |
| 100 - 495 | $ 2.218 | $ 11.090 |
| 500+ | $ 1.868 | $ 9.340 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
12A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
600V
Encapsulado
TO-263
Serie
MDmesh DM2
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
290mΩ
Modo de canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.3V
Disipación de potencia máxima Pd
90W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
20nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
150°C
Altura
4.6mm
Longitud
9.35mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.