MOSFET STMicroelectronics STB18N60DM2, VDSS 600 V, ID 12 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
90000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
10.4mm
Largo
9.35mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
4.6mm
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.640 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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1000
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N
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MDmesh DM2
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
290 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
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Anchura
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Largo
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
1.6V
Altura
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País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
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