Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Serie
STripFET
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
330W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
85nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
10.4 mm
Altura
4.6mm
Largo
10.75mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Serie
STripFET
Encapsulado
TO-263
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7mΩ
Modo de canal
Mejora
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
330W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
85nC
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Certificaciones y estándares
RoHS
Profundidad
10.4 mm
Altura
4.6mm
Largo
10.75mm
Estándar de automoción
No
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