MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 760-9828PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB160N75F3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

120A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

75V

Encapsulado

TO-263

Series

STripFET

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.7mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

330W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

85nC

Tensión directa Vf

1.5V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Ancho

10.4 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.75mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

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3.7mΩ

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Enhancement

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20 V

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