Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
330W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
85nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Altura
4.6mm
Longitud:
10.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Rollo)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
3.7mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
330W
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
85nC
Tensión máxima de la fuente de la puerta
-20, +20V
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
175°C
Altura
4.6mm
Longitud:
10.75mm
Certificaciones y estándares
No
Ancho
10.4mm
Estándar de automoción
No
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