MOSFET STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 760-9828PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB160N75F3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

75 V

Series

STripFET

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

3.7 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

330000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Anchura

10.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.75mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

MOSFET STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

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3

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3.7 mΩ

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Mejora

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4V

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2V

Disipación de Potencia Máxima

330000 mW

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Anchura

10.4mm

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Si

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1

Largo

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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