MOSFET STMicroelectronics STB160N75F3, VDSS 75 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
330000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
10.4mm
Largo
10.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
85 nC a 10 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
4.6mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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N
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75 V
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Series
STripFET
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
3.7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
330000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
10.4mm
Largo
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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