MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB140NF75T4, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Serie
STripFET F3
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura de Funcionamiento Máxima
175°C
Profundidad
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
2
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STripFET F3
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Surface
Número de pines
3
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Modo de canal
Mejora
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
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Temperatura de Funcionamiento Máxima
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Profundidad
9.35 mm
Altura
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Longitud
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No
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