Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 8.852
$ 4.426 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.534
$ 5.266,94 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
Estándar
2
$ 8.852
$ 4.426 Each (In a Pack of 2) (Sin IVA)
$ 10.534
$ 5.266,94 Each (In a Pack of 2) (IVA Inc.)
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Estándar
2
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 2 - 8 | $ 4.426 | $ 8.852 |
| 10 - 98 | $ 3.756 | $ 7.512 |
| 100 - 498 | $ 3.008 | $ 6.016 |
| 500 - 998 | $ 2.670 | $ 5.340 |
| 1000+ | $ 2.268 | $ 4.536 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Tensión directa Vf
1.5V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


