MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 75 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
Type N
Tipo de producto
MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ F3 de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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MOSFET
Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
75V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F3
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Tensión directa Vf
1.5V
Disipación de potencia máxima Pd
310W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
160nC
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
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