MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB13N60M2, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-263

Serie

MDmesh M2

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25V

Tensión directa Vf

1.6V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Altura

4.6mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Ancho

9.35mm

Estándar de automoción

No