MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
380mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.414 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
11A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
650V
Encapsulado
TO-263
Series
MDmesh M2
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
380mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
110W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
25 V
Temperatura Mínima de Operación
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
17nC
Tensión directa Vf
1.6V
Temperatura Máxima de Operación
150°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
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MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
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