MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 165-6548Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB13N60M2
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de canal

Type N

Tipo de Producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Series

MDmesh M2

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

9.35 mm

Altura

4.6mm

Largo

10.4mm

Estándar de automoción

No

País de Origen

China

Datos del producto

MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics

Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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$ 1.414.000

$ 1.414 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

$ 1.682.660

$ 1.682,66 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)

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MDmesh M2

Encapsulado

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Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

380mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

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Disipación de potencia máxima Pd

110W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

25 V

Temperatura Mínima de Operación

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Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Temperatura Máxima de Operación

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Anchura

9.35 mm

Altura

4.6mm

Largo

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No

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