MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 687-5065PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB120NF10T4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

120 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET II

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB120NF10T4, VDSS 100 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

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20P.O.A.
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Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10.5 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

312000 mW

Configuración de transistor

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

172 nC a 10 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

10.4mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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