MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 188-8280Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB11NM80T4
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia MDmesh

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

STB11NM80

Tipo de Montaje

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.4Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Tensión directa Vf

0.86V

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Profundidad

9.35 mm

Altura

4.37mm

Largo

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

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$ 5.465.000

$ 5.465 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

$ 6.503.350

$ 6.503,35 Each (On a Reel of 1000) (IVA Inc.)

MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000$ 5.465.000
2000$ 10.930.000
3000$ 16.395.000
4000$ 21.860.000
5000$ 27.325.000
6000$ 32.790.000
7000$ 38.255.000
8000$ 43.720.000
9000$ 49.185.000
10000$ 54.650.000
11000$ 60.115.000
12000$ 65.580.000
13000$ 71.045.000
14000$ 76.510.000
15000$ 81.975.000

$ 5.465.000

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11000$ 60.115.000
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3

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0.4Ω

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-65°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

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Temperatura de Funcionamiento Máxima

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