MOSFET de potencia MDmesh, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 11 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET de potencia MDmesh

Tipo de canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

11A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-263

Serie

STB11NM80

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.4Ω

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

43.6nC

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65°C

Tensión directa Vf

0.86V

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Longitud:

10.4mm

Altura

4.37mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No