MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 40 V, ID 120 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
120A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
40V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
STripFET II
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
110nC
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud:
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 2.301 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
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Corriente continua máxima de drenaje ld
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Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
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Tipo de Montaje
Surface
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3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
300W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
110nC
Tensión directa Vf
1.3V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud:
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No
Estándar de automoción
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País de Origen
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Datos del producto
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