MOSFET STMicroelectronics STB100NF04T4, VDSS 40 V, ID 120 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Series
STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
Surface Mount
Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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STripFET II
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje
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Número de pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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País de Origen
Malaysia
Datos del producto
STripFET™ II de canal N, STMicroelectronics
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