MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
100A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5.6mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12.6nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.115.000
$ 1.115 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.326.850
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1000
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Encapsulado
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Series
STripFET F7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5.6mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12.6nC
Tensión directa Vf
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Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
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No
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No
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STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
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