MOSFET STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 1.115.000
$ 1.115 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
$ 1.326.850
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STripFET F7
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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1
Profundidad
9.35mm
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,6 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
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STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
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