MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Serie

STripFET F7

Encapsulado

TO-263

Tipo de Montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.6mΩ

Modo de canal

Enhancement

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

12.6nC

Tensión directa Vf

1.2V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

175°C

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Ancho

9.35mm

Altura

4.6mm

Estándar de automoción

No