MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
100A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
60V
Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5.6mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
12.6nC
Tensión directa Vf
1.2V
Temperatura Máxima de Operación
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Longitud
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 11.105
$ 2.221 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 13.215
$ 2.642,99 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 2.221 | $ 11.105 |
| 10 - 95 | $ 1.877 | $ 9.385 |
| 100 - 495 | $ 1.408 | $ 7.040 |
| 500+ | $ 1.191 | $ 5.955 |
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Encapsulado
TO-263
Series
STripFET F7
Tipo de soporte
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
5.6mΩ
Modo de Canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
125W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55°C
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Ancho
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Altura
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No
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