MOSFET STMicroelectronics STB100N6F7, VDSS 60 V, ID 100 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET F7
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.35mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
12,6 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
4.6mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie F7, STMicroelectronics
La serie F7 de MOSFET de baja tensión de STMicroelectronics STripFET™ tiene una menor resistencia de dispositivo en funcionamiento, con menor capacitancia y carga de puerta para conmutación más rápida y eficaz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 11.105
$ 2.221 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 13.215
$ 2.642,99 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 5 | $ 2.221 | $ 11.105 |
| 10 - 95 | $ 1.877 | $ 9.385 |
| 100 - 495 | $ 1.408 | $ 7.040 |
| 500+ | $ 1.191 | $ 5.955 |
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N
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Series
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Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
5.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
125000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Si
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1
Largo
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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