Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
$ 17.640
$ 3.528 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
$ 20.992
$ 4.198,32 Each (In a Pack of 5) (IVA Inc.)
Estándar
5
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5
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | $ 3.528 | $ 17.640 |
| 25 - 45 | $ 3.352 | $ 16.760 |
| 50 - 120 | $ 3.015 | $ 15.075 |
| 125 - 245 | $ 2.715 | $ 13.575 |
| 250+ | $ 2.577 | $ 12.885 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
80A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
100V
Tipo de Encapsulado
TO-263
Series
STripFET H7
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
3
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds
8mΩ
Modo de canal
Enhancement
Disipación de potencia máxima Pd
150W
Tensión máxima de la fuente de la puerta
20 V
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55°C
Carga típica de puerta Qg @ Vgs
61nC
Tensión directa Vf
1.2V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
175°C
Ancho
9.35 mm
Altura
4.6mm
Largo
10.4mm
Certificaciones y estándares
No
Estándar de automoción
No
Datos del producto
STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics
Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.


