MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código de producto RS: 792-5697PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB100N10F7
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de Canal

Type N

Corriente continua máxima de drenaje ld

80A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Series

STripFET H7

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Ancho

9.35 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
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Encapsulado

TO-263

Series

STripFET H7

Tipo de soporte

Surface

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Disipación de potencia máxima Pd

150W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

61nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura Máxima de Operación

175°C

Ancho

9.35 mm

Altura

4.6mm

Longitud

10.4mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

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