MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 792-5697PMarca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STB100N10F7
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

61 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Volver a intentar más tarde

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET STMicroelectronics STB100N10F7, VDSS 100 V, ID 80 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Volver a intentar más tarde

Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Rollo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

5

Disponible en múltiplos de 5
5P.O.A.
10P.O.A.
15P.O.A.
20P.O.A.
25P.O.A.
30P.O.A.
35P.O.A.
40P.O.A.
45P.O.A.
50P.O.A.
55P.O.A.
60P.O.A.
65P.O.A.
70P.O.A.
75P.O.A.

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Series

STripFET H7

Tipo de Encapsulado

D2PAK (TO-263)

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Anchura

9.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud:

10.4mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

61 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

STripFET™ de canal N serie H7, STMicroelectronics

Los MOSFET STripFET™ tienen un amplio rango de tensión de ruptura y ofrecen carga de puerta ultrabaja y baja resistencia encendidos.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Idear. Crear. Colaborar

ÚNASE GRATIS

¡Sin cuotas escondidas!

design-spark
design-spark
  • Descargue y utilice nuestro software DesignSpark para sus diseños mecánicos 3D y de PCB
  • Ver y contribuir con contenido de sitios web y foros
  • Descargue modelos 3D, esquemas y huellas de más de un millón de productos
Haga clic aquí para conocer más