MOSFET de potencia STMicroelectronics, N-Canal ST2H8N120K5AG, VDSS 1.2 kV, ID 6 A, H2PAK-2, Modo de mejora de 3 pines

Brand

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1.2kV

Serie

MDmesh K5

Encapsulado

H2PAK-2

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.65Ω

Modo de canal

Enhancement Mode

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Temperatura Mínima de Operación

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Largo

10.98mm

Altura

15.55mm

Anchura

10.98mm

Certificaciones y estándares

RoHS, WEEE, Eu-Directive 2003/11/EC, VDE, OVE, CEBEC, KEMA, S, D, N, FI, LCIE, IMQ, K

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China