MOSFET de potencia STMicroelectronics, Canal N-Canal ST2H8N120K5AG, VDSS 1200 V, ID 6 A, H2PAK-2, Modo de mejora de 3

Brand

Tipo de producto

Power MOSFET

Tipo de Canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

H2PAK-2

Serie

MDmesh K5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.65Ω

Modo de canal

Modo de mejora

Disipación de potencia máxima Pd

165W

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Largo

10.98mm

Altura

15.55mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Ancho

10.98mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

China