Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.3V
Tensión Mínima de Ruptura
4.1V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-214AA (SMB)
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
200A
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
4.6 x 3.95 x 2.45mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.45mm
Corriente de Prueba
1mA
Largo
4.6mm
Anchura
3.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200µA
Datos del producto
SMLVT3V3, Transil™ de baja tensión
Diodo unidireccional Transil™
Potencia de pulso de pico de 600 W (10/1.000 μs)
Tensión de aislamiento inverso = 3,3 V
Factor de fijación bajo
Tiempo de respuesta rápido
Transient Voltage Suppressors, STMicroelectronics
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
10.3V
Tensión Mínima de Ruptura
4.1V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
DO-214AA (SMB)
Tensión de Corte Inversa Máxima
3.3V
Conteo de Pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
200A
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
4.6 x 3.95 x 2.45mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.45mm
Corriente de Prueba
1mA
Largo
4.6mm
Anchura
3.95mm
Corriente de Fugas Inversa Máxima
200µA
Datos del producto
SMLVT3V3, Transil™ de baja tensión
Diodo unidireccional Transil™
Potencia de pulso de pico de 600 W (10/1.000 μs)
Tensión de aislamiento inverso = 3,3 V
Factor de fijación bajo
Tiempo de respuesta rápido


