Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
34.7V
Tensión Mínima de Ruptura
17.9V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMB PLANO (DO221-AA)
Tensión de Corte Inversa Máxima
16V
Número de pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
115A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
3.95 x 4.6 x 1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.6mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
1.05mm
Tensión de trabajo
16V
Tensión ESD
30kV
Capacidad
150pF
Largo
3.95mm
País de Origen
Morocco
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
5000
P.O.A.
Each (On a Reel of 5000) (Sin IVA)
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5000
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Single
Tensión Residual Máxima
34.7V
Tensión Mínima de Ruptura
17.9V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SMB PLANO (DO221-AA)
Tensión de Corte Inversa Máxima
16V
Número de pines
2
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
600W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
115A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
1
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
3.95 x 4.6 x 1.05mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Anchura
4.6mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Altura
1.05mm
Tensión de trabajo
16V
Tensión ESD
30kV
Capacidad
150pF
Largo
3.95mm
País de Origen
Morocco


