Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Single
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.4V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
DO-216
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
200W
Tensión de sujeción VC
9.2V
Corriente de prueba lt
10mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
19.6A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.15mm
Longitud:
2.05mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
2.05mm
Serie
SM2T
Corriente de fugas inversa máxima
50μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
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10
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsConfiguración de diodo
Single
Tipo de Dirección
Uni-Directional
Tipo de producto
Diodo TVS
Tensión mínima de ruptura Vbr
6.4V
Tipo de Montaje
Surface
Tipo de Encapsulado
DO-216
Tensión de corte inversa máxima Vwm
5V
Número de pines
2
Disipación de potencia de pico de pulso Pppm
200W
Tensión de sujeción VC
9.2V
Corriente de prueba lt
10mA
Corriente de pico de pulsos máxima lppm
19.6A
Protección contra descarga electrostática ESD
Yes
Número de elementos por chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
150°C
Altura
1.15mm
Longitud:
2.05mm
Certificaciones y estándares
DIN EN ISO 6789-2:2017
Anchura
2.05mm
Serie
SM2T
Corriente de fugas inversa máxima
50μA
Estándar de automoción
No
Datos del producto