MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Código de producto RS: 719-637Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SGT350R70GTK
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de Canal

P-Channel

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-252

Serie

G-HEMT

Tipo de soporte

Surface Mount

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

47W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura Máxima de Operación

150°C

Longitud

6.2mm

Altura

2.4mm

País de Origen

China

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$ 3.075.000

$ 1.230 Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 3.659.250

$ 1.463,70 Each (On a Reel of 2500) (IVA Inc.)

MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500$ 3.075.000
5000$ 6.150.000
7500$ 9.225.000
10000$ 12.300.000
12500$ 15.375.000
15000$ 18.450.000
17500$ 21.525.000
20000$ 24.600.000
22500$ 27.675.000
25000$ 30.750.000
27500$ 33.825.000
30000$ 36.900.000
32500$ 39.975.000
35000$ 43.050.000
37500$ 46.125.000

$ 3.075.000

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10000$ 12.300.000
12500$ 15.375.000
15000$ 18.450.000
17500$ 21.525.000
20000$ 24.600.000
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25000$ 30.750.000
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Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

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