MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

Código de producto RS: 719-637Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: SGT350R70GTK
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

P-Channel

Corriente continua máxima de drenaje ld

6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

TO-252

Serie

G-HEMT

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

2

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

350mΩ

Modo de Canal

Enhancement

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

1.5nC

Disipación de potencia máxima Pd

47W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de Funcionamiento Máxima

150°C

Longitud:

6.2mm

Altura

2.4mm

País de Origen

China

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P.O.A.

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

MOSFET de potencia, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT350R70GTK, VDSS 700 V, ID 6 A, Mejora, TO-252 de 2 pines

2500

Disponible en múltiplos de 2500
2500P.O.A.
5000P.O.A.
7500P.O.A.
10000P.O.A.
12500P.O.A.
15000P.O.A.
17500P.O.A.
20000P.O.A.
22500P.O.A.
25000P.O.A.
27500P.O.A.
30000P.O.A.
32500P.O.A.
35000P.O.A.
37500P.O.A.

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Serie

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Número de pines

2

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350mΩ

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1.5nC

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