Transistor, Canal P-Canal STMicroelectronics SGT080R70ILB, VDSS 700 V, ID 29 A, Mejora, PowerFLAT de 8 pines

Brand

Tipo de producto

Transistor

Tipo de Canal

P-Channel

Corriente continua máxima de drenaje ld

29A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

700V

Encapsulado

PowerFLAT

Serie

G-HEMT

Tipo de Montaje

Surface Mount

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

80mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.2nC

Disipación de potencia máxima Pd

188W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-6 to 7 V

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55°C

Máxima Temperatura de Funcionamiento

150°C

Profundidad

8.1 mm

Largo

8.1mm

Altura

0.9mm

País de Origen

China