Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
230 MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Profundidad
24.89 mm
Altura
4.11mm
Longitud
26.67mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de producto
MOSFET
Tipo de Canal
Type N
Frecuencia de Funcionamiento
230 MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Modo de canal
Mejora
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Profundidad
24.89 mm
Altura
4.11mm
Longitud
26.67mm
Certificaciones y estándares
RoHS
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.


