Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Tipo de Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
26.67mm
Altura
4.11mm
Certificaciones y estándares
No
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
P.O.A.
Volver a intentar más tarde
Empaque de Producción (Bandeja)
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Producto
MOSFET
Tipo de canal
Type N
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Tipo de Encapsulado
M174
Serie
SD2931
Tipo de Montaje
Superficie
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Temperatura de Funcionamiento Mínima
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Longitud:
26.67mm
Altura
4.11mm
Certificaciones y estándares
No
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.