Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
230MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Serie
SD2931
Encapsulado
M174
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Certificaciones y estándares
No
Ancho
24.89mm
Altura
4.11mm
Largo
26.67mm
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
Volver a intentar más tarde
P.O.A.
Empaque de Producción (Bandeja)
1
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Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Tipo de Producto
MOSFET
Frecuencia de Funcionamiento
230MHz
Corriente continua máxima de drenaje ld
20A
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds
125V
Potencia de Salida
150W
Serie
SD2931
Encapsulado
M174
Tipo de Montaje
Surface
Número de pines
4
Modo de canal
Enhancement
Mínima Temperatura de Funcionamiento
65°C
Máxima Temperatura de Funcionamiento
200°C
Configuración de transistor
Single
Certificaciones y estándares
No
Ancho
24.89mm
Altura
4.11mm
Largo
26.67mm
Ganancia de Potencia Típica
14dB
Estándar de automoción
No
País de Origen
Morocco
Datos del producto
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.